電子產(chǎn)品電磁兼容問(wèn)題越來(lái)越受到人們的重視，相信搞電子產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的朋友，都有過(guò)深刻并且痛苦的體會(huì )，辛苦設計好的產(chǎn)品，在樣機打樣試機的時(shí)候，莫名其妙的就“掛”了，甚至出現各種異常狀況，比如冒煙.....是不是很無(wú)語(yǔ)....

對于開(kāi)關(guān)電源來(lái)說(shuō)，由于開(kāi)關(guān)管、整流管工作在大電流、高電壓的條件下，對外界會(huì )產(chǎn)生很強的電磁干擾，因此開(kāi)關(guān)電源的傳導發(fā)射和電磁輻射發(fā)射相對其它產(chǎn)品來(lái)說(shuō)更加難以實(shí)現電磁兼容，但如果我們對開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生電磁干擾的原理了解清楚后，就不難找到合適的對策，將傳導發(fā)射電平和輻射發(fā)射電平降到合適的水平，實(shí)現電磁兼容性設計。

功率開(kāi)關(guān)器件的高額開(kāi)關(guān)動(dòng)作是導致開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生電磁干擾(EMI)的主要原因。開(kāi)關(guān)頻率的提高一方面減小了電源的體積和重量，另一方面也導致了更為嚴重的EMI問(wèn)題。開(kāi)關(guān)電源工作時(shí)，其內部的電壓和電流波形都是在非常短的時(shí)間內上升和下降的，因此，開(kāi)關(guān)電源本身是一個(gè)噪聲發(fā)生源。開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生的干擾，按噪聲干擾源種類(lèi)來(lái)分，可分為尖峰干擾和諧波干擾兩種；若按耦合通路來(lái)分，可分為傳導干擾和輻射干擾兩種。使電源產(chǎn)生的干擾不至于對電子系統和電網(wǎng)造成危害的根本辦法是削弱噪聲發(fā)生源，或者切斷電源噪聲和電子系統、電網(wǎng)之間的耦合途徑�，F在按噪聲干擾源來(lái)分別說(shuō)明：

1、二極管的反向恢復時(shí)間引起的干擾

交流輸入電壓經(jīng)功率二極管整流橋變?yōu)檎�弦脈動(dòng)電壓，經(jīng)電容平滑后變?yōu)橹绷�，但電容電流的波形不是正弦波而是脈沖波。由電流波形可知，電流中含有高次諧波。大量電流諧波分量流入電網(wǎng)，造成對電網(wǎng)的諧波污染。另外，由于電流是脈沖波，使電源輸入功率因數降低。

高頻整流回路中的整流二極管正向導通時(shí)有較大的正向電流流過(guò)，在其受反偏電壓而轉向截止時(shí)，由于PN結中有較多的載流子積累，因而在載流子消失之前的一段時(shí)間里，電流會(huì )反向流動(dòng)，致使載流子消失的反向恢復電流急劇減少而發(fā)生很大的電流變化(di/dt)。

2、開(kāi)關(guān)管工作時(shí)產(chǎn)生的諧波干擾

功率開(kāi)關(guān)管在導通時(shí)流過(guò)較大的脈沖電流。例如正激型、推挽型和橋式變換器的輸入電流波形在阻性負載時(shí)近似為矩形波，其中含有豐富的高次諧波分量。當采用零電流、零電壓開(kāi)關(guān)時(shí)，這種諧波干擾將會(huì )很小。另外，功率開(kāi)關(guān)管在截止期間，高頻變壓器繞組漏感引起的電流突變，也會(huì )產(chǎn)生尖峰干擾。

3、交流輸入回路產(chǎn)生的干擾

無(wú)工頻變壓器的開(kāi)關(guān)電源輸入端整流管在反向恢復期間會(huì )引起高頻衰減振蕩產(chǎn)生干擾。開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生的尖峰干擾和諧波干擾能量，通過(guò)開(kāi)關(guān)電源的輸入輸出線(xiàn)傳播出去而形成的干擾稱(chēng)之為傳導干擾；而諧波和寄生振蕩的能量，通過(guò)輸入輸出線(xiàn)傳播時(shí)，都會(huì )在空間產(chǎn)生電場(chǎng)和磁場(chǎng)。這種通過(guò)電磁輻射產(chǎn)生的干擾稱(chēng)為輻射干擾。

4、其他原因

元器件的寄生參數，開(kāi)關(guān)電源的原理圖設計不夠完美，印刷線(xiàn)路板（PCB）走線(xiàn)通常采用手工布置，具有很大的隨意性，PCB的近場(chǎng)干擾大，并且印刷板上器件的安裝、放置，以及方位的不合理都會(huì )造成EMI干擾。這增加了PCB分布參數的提取和近場(chǎng)干擾估計的難度。

Flyback架構noise在頻譜上的反應

0.15MHz處產(chǎn)生的振蕩是開(kāi)關(guān)頻率的3次諧波引起的干擾；

0.2MHz處產(chǎn)生的振蕩是開(kāi)關(guān)頻率的4次諧波和Mosfet振蕩2（190.5KHz）基波的迭加，引起的干擾；所以這部分較強；

0.25MHz處產(chǎn)生的振蕩是開(kāi)關(guān)頻率的5次諧波引起的干擾；

0.35MHz處產(chǎn)生的振蕩是開(kāi)關(guān)頻率的7次諧波引起的干擾；

0.39MHz處產(chǎn)生的振蕩是開(kāi)關(guān)頻率的8次諧波和Mosfet振蕩2（190.5KHz）基波的迭加引起的干擾；

1.31MHz處產(chǎn)生的振蕩是Diode振蕩1（1.31MHz）的基波引起的干擾；

3.3MHz處產(chǎn)生的振蕩是Mosfet振蕩1（3.3MHz）的基波引起的干擾；

開(kāi)關(guān)管、整流二極管的振蕩會(huì )產(chǎn)生較強的干擾

設計開(kāi)關(guān)電源時(shí)防止EMI的措施

1.把噪音電路節點(diǎn)的PCB銅箔面積最大限度地減小，如開(kāi)關(guān)管的漏極、集電極、初次級繞組的節點(diǎn)等；

2.使輸入和輸出端遠離噪音元件，如變壓器線(xiàn)包、變壓器磁芯、開(kāi)關(guān)管的散熱片等等；

3.使噪音元件（如未遮蔽的變壓器線(xiàn)包、未遮蔽的變壓器磁芯和開(kāi)關(guān)管等等）遠離外殼邊緣，因為在正常操作下外殼邊緣很可能靠近外面的接地線(xiàn)；

4.如果變壓器沒(méi)有使用電場(chǎng)屏蔽，要保持屏蔽體和散熱片遠離變壓器；

5.盡量減小以下電流環(huán)的面積：次級（輸出）整流器、初級開(kāi)關(guān)功率器件、柵極（基極）驅動(dòng)線(xiàn)路、輔助整流器

6.不要將門(mén)極（基極）的驅動(dòng)返饋環(huán)路和初級開(kāi)關(guān)電路或輔助整流電路混在一起；

7.調整優(yōu)化阻尼電阻值，使它在開(kāi)關(guān)的死區時(shí)間里不產(chǎn)生振鈴響聲；

8.防止EMI濾波電感飽和；

9.使拐彎節點(diǎn)和次級電路的元件遠離初級電路的屏蔽體或者開(kāi)關(guān)管的散熱片；

10.保持初級電路的擺動(dòng)的節點(diǎn)和元件本體遠離屏蔽或者散熱片；

11.使高頻輸入的EMI濾波器靠近輸入電纜或者連接器端；

12.保持高頻輸出的EMI濾波器靠近輸出電線(xiàn)端子；

13.使EMI濾波器對面的PCB板的銅箔和元件本體之間保持一定距離；

14.在輔助線(xiàn)圈的整流器的線(xiàn)路上放一些電阻；

15.在磁棒線(xiàn)圈上并聯(lián)阻尼電阻；

16.在輸出RF濾波器兩端并聯(lián)阻尼電阻；

17.在PCB設計時(shí)允許放1nF/500V陶瓷電容器或者還可以是一串電阻，跨接在變壓器的初級的靜端和輔助繞組之間；

18.保持EMI濾波器遠離功率變壓器，尤其是避免定位在繞包的端部；

19.在PCB面積足夠的情況下,可在PCB上留下放屏蔽繞組用的腳位和放RC阻尼器的位置，RC阻尼器可跨接在屏蔽繞組兩端；

20.空間允許的話(huà)在開(kāi)關(guān)功率場(chǎng)效應管的漏極和門(mén)極之間放一個(gè)小徑向引線(xiàn)電容器（米勒電容，10皮法/1千伏電容）；

21.空間允許的話(huà)放一個(gè)小的RC阻尼器在直流輸出端；

22.不要把AC插座與初級開(kāi)關(guān)管的散熱片靠在一起。 

 

開(kāi)關(guān)電源EMI的特點(diǎn)

作為工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)的能量轉換裝置，開(kāi)關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強度較大；干擾源主要集中在功率開(kāi)關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對于數字電路干擾源的位置較為清楚；開(kāi)關(guān)頻率不高（從幾十千赫和數兆赫茲），主要的干擾形式是傳導干擾和近場(chǎng)干擾；而印刷線(xiàn)路板(PCB)走線(xiàn)通常采用手工布線(xiàn)，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布參數的提取和近場(chǎng)干擾估計的難度。

1MHZ以?xún)?---以差模干擾為主，增大X電容就可解決；

1MHZ---5MHZ---差模共�；旌�，采用輸入端并一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標并解決；

5M以上---以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。對于外殼接地的，在地線(xiàn)上用一個(gè)磁環(huán)繞2圈會(huì )對10MHZ以上干擾有較大的衰減(diudiu2006)；對于25--30MHZ不過(guò)可以采用加大對地Y電容、在變壓器外面包銅皮、改變PCBLAYOUT、輸出線(xiàn)前面接一個(gè)雙線(xiàn)并繞的小磁環(huán)，最少繞10圈、在輸出整流管兩端并RC濾波器；

30---50MHZ---普遍是MOS管高速開(kāi)通關(guān)斷引起，可以用增大MOS驅動(dòng)電阻，RCD緩沖電路采用1N4007慢管，VCC供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決；

100---200MHZ---普遍是輸出整流管反向恢復電流引起，可以在整流管上串磁珠；

100MHz-200MHz之間大部分出于PFCMOSFET及PFC二極管，現在MOSFET及PFC二極管串磁珠有效果，水平方向基本可以解決問(wèn)題，但垂直方向就很無(wú)奈了。

開(kāi)關(guān)電源的輻射一般只會(huì )影響到100M以下的頻段，也可以在MOS、二極管上加相應吸收回路，但效率會(huì )有所降低。

1MHZ以?xún)?---以差模干擾為主

1.增大X電容量；

2.添加差模電感；

3.小功率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。 

1MHZ---5MHZ---差模共�；旌�

采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標并以解決。

1.對于差模干擾超標可調整X電容量，添加差模電感器，調差模電感量；

2.對于共模干擾超標可添加共模電感，選用合理的電感量來(lái)抑制；

3.也可改變整流二極管特性來(lái)處理一對快速二極管如FR107一對普通整流二極管1N4007。

5M以上---以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法

對于外殼接地的，在地線(xiàn)上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3圈會(huì )對10MHZ以上干擾有較大的衰減作用；也可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔，銅箔閉環(huán)。處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。 
 

對于20--30MHZ

1.對于一類(lèi)產(chǎn)品可以采用調整對地Y2電容量或改變Y2電容位置；

2.調整一二次側間的Y1電容位置及參數值；

3.在變壓器外面包銅箔、變壓器最里層加屏蔽層，調整變壓器的各繞組的排布；

4.改變PCBLAYOUT；

5.輸出線(xiàn)前面接一個(gè)雙線(xiàn)并繞的小共模電感；

6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調整合理的參數；

7.在變壓器與MOSFET之間加BEADCORE；

8.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容；

9.可以用增大MOS驅動(dòng)電阻。

30---50MHZ普遍是MOS管高速開(kāi)通關(guān)斷引起

1.可以用增大MOS驅動(dòng)電阻；
    2.RCD緩沖電路采用1N4007慢管；
    3.VCC供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決；
    4.或者輸出線(xiàn)前端串接一個(gè)雙線(xiàn)并繞的小共模電感；
    5.在MOSFET的D-S腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路；
    6.在變壓器與MOSFET之間加BEADCORE；
    7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容；
    8.PCB心LAYOUT時(shí)大電解電容，變壓器，MOS構成的電路環(huán)盡可能的��；
    9.變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構成的電路環(huán)盡可能的小。

50---100MHZ普遍是輸出整流管反向恢復電流引起

    1.可以在整流管上串磁珠；
    2.調整輸出整流管的吸收電路參數；
    3.可改變一二次側跨接Y電容支路的阻抗，如PIN腳處加BEADCORE或串接適當的電阻；
    4.也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾卡MOSFET，鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點(diǎn)）；
    5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射。

    200MHZ以上開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過(guò)EMI標準。 

 

傳導方面EMI對策

 
   傳導冷機時(shí)在0.15-1MHZ超標，熱機時(shí)就有7DB余量。主要原因是初級BULK電容DF值過(guò)大造成的，冷機時(shí)ESR比較大，熱機時(shí)ESR比較小，開(kāi)關(guān)電流在ESR上形成開(kāi)關(guān)電壓，它會(huì )壓在一個(gè)電流LN線(xiàn)間流動(dòng)，這就是差模干擾。解決辦法是用ESR低的電解電容或者在兩個(gè)電解電容之間加一個(gè)差模電感......... 

 

輻射方面EMI對策

輻射在30～300MHz頻段內出現寬帶噪聲超標

通過(guò)在電源線(xiàn)上增加去耦磁環(huán)（可開(kāi)合）進(jìn)行驗證，如果有改善則說(shuō)明和電源線(xiàn)有關(guān)系，采用以下整改方法：如果設備有一體化濾波器，檢查濾波器的接地是否良好，接地線(xiàn)是否盡可能短；

金屬外殼的濾波器的接地最好直接通過(guò)其外殼和地之間的大面積搭接。檢查濾波器的輸入、輸出線(xiàn)是否互相靠近。適當調整X/Y電容的容值、差模電感及共模扼流圈的感量；調整Y電容時(shí)要注意安全問(wèn)題；改變參數可能會(huì )改善某一段的輻射，但是卻會(huì )導致另外頻度變差，所以需要不斷的試，才能找到最好的組合。適當增大觸發(fā)極上的電阻值不失為一個(gè)好辦法；也可在開(kāi)關(guān)管晶體管的集電極（或者是MOS管的漏極）或者是次級輸出整流管對地接一個(gè)小電容也可以有效減小共模開(kāi)關(guān)噪聲。開(kāi)關(guān)電源板在PCB布線(xiàn)時(shí)一定要控制好各回路的回流面積，可以大大減小差模輻射。在PCB電源走線(xiàn)中增加104/103電容為電源去耦；在多層板布線(xiàn)時(shí)要求電源平面和地平面緊鄰；在電源線(xiàn)上套磁環(huán)進(jìn)行比對驗證，以后可以通過(guò)在單板上增加共模電感來(lái)實(shí)現，或者在電纜上注塑磁環(huán)。輸入AC線(xiàn)的L線(xiàn)的長(cháng)度盡量短；

屏蔽設備內部，孔縫附近是否有干擾源；結構件搭接處是否噴有絕緣漆，采用砂布將絕緣漆擦掉，作比較試驗。檢查接地螺釘是否噴有絕緣漆，是否接地良好。

注：“本文僅代表作者觀(guān)點(diǎn)，不代表公司立場(chǎng)”